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FDD5614P MOSFET规格参数_管脚配置_特性图
771 2022-11-29 14:53:03 来源: IC先生 作者: IC先生
FDD5614P是一款60V P沟道MOSFET器件，使用的是安森美半导体高压POWERTRENCH工艺，它主要是针对电源管理应用进行了优化。
FDD5614P器件的应用范围也非常广泛，常见的包括DC/DC转换器、电源管理、负载开关等等。
规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
| 制造商： | 安森美 |
| 安装方式： | 贴片/贴片 |
| 包装： | DPAK-3 |
| 晶体管极性： | P沟道 |
| 通道数： | 1个 |
| Vds – 漏源击穿电压： | 60伏 |
| Id – 连续漏极电流： | 15安 |
| Rds On – 漏源电阻： | 76毫欧 |
| Vgs – 栅源电压： | –20伏，+20伏 |
| Vgs th – 栅源阈值电压： | 3伏 |
| Qg – 栅极电荷： | 24纳米 |
| 最低工作温度： | –55摄氏度 |
| 最高工作温度： | +175摄氏度 |
| Pd – 功耗： | 42瓦 |
| 频道模式： | 强化 |
| 打包： | 卷轴、切割胶带 |
| 下降时间： | 12纳秒 |
| 正向跨导 – 最小值： | 8秒 |
| 高度： | 2.39毫米 |
| 长度： | 6.73毫米 |
| 上升时间： | 10纳秒 |
| 子类别： | MOSFET |
| 晶体管类型： | 1个P沟道 |
| 类型： | 场效应晶体管 |
| 典型关断延迟时间： | 19纳秒 |
| 典型的开启延迟时间： | 7纳秒 |
| 宽度： | 6.22毫米 |
| 部件号别名： | FDD5614P_NL |
| 单位重量： | 330mg |
功能特性
- −15安培，−60伏
RDS（ON）=100毫欧，VGS=−10伏
RDS（ON）=130毫欧，VGS=−4.5伏
- 快速切换速度
- 针对极低RDS（ON）的高性能沟槽技术
- 高功率和电流处理能力
- 它是一款无铅设备
引脚配置
绝对最大额定值（TA=25°C）
正向电压随电源电流和温度的变化
最大安全操作区域
瞬态热响应曲线图
封装设计尺寸参数
关于安森美半导体
安森美半导体公司是半导体解决方案的领先供应商，提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、标准和定制设备组合。该公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算、消费者、工业、医疗和军事/航空航天应用中的独特设计难题。
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文章标签:
晶体管
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