| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| Infineon | |
| 产品种类: | MOSFET |
| 通孔 | |
| TO-220-3 | |
| N-沟道 | |
| 1个 | |
| 100V | |
| 192A | |
| 4.2mOhms | |
| –20V, +20V | |
| 2V | |
| 170nC | |
| –55°C | |
| +175°C | |
| 441W | |
| Enhancement | |
| 配置: | Single |
| 下降时间: | 100ns |
| 正向跨导 – 最小值: | 278S |
| 高度: | 15.65mm |
| 长度: | 10mm |
| 上升时间: | 97ns |
| 典型关闭延迟时间: | 110ns |
| 典型接通延迟时间: | 17ns |
| 宽度: | 4.4mm |
| 单位重量: | 2g |
新闻详情
客服
IRF100B201引脚配置_规格参数_功能属性图
1280 2022-12-12 17:26:34 来源: IC先生 作者: IC先生
IRF100B201功率MOSFET系列针对低RDS（开启）和高电流能力进行了优化，这些设备非常适合需要性能和耐用性的低频应用。全面的产品组合涉及广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器。
IRF100B201器件采用标准引脚允许插入式更换，高载流能力TO-220封装，在低频应用中具有高性能应用，而且可以灵活提高功率密度。
规格参数
功能特点
- 行业标准通孔电源组件
- 高电流额定值
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 硅优化用于低于100 kHz的应用切换
- 与上一代硅相比，采用增强体二极管dV/dt和dI/dt能力
- 改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性
- 无铅、符合RoHS、无卤素
- 完全特征化的电容和雪崩SOA
引脚配置
功能框图
典型导通电阻与栅极电压
最大安全操作区域
最大有效瞬态热阻抗特性
雪崩电流与脉冲宽度特性
典型储存电荷vs.dif/dt
封装设计尺寸参数
主要应用
- SMPS
- UPS
- 太阳能逆变器
- 直流电机驱动
- 电池供电应用
总结
IRF100B201是一款应用非常广泛的N沟道MOSFET器件，可应用于电机、整流电路、电源开关、逆变器等常见应用。更重要的是，IRF100B201器件所有功能参数均符号行业标准资质等级，可以放心选择使用。
如果需要采购IRF100B201器件，可以随时联系我们，提供正品原装规格型号，欢迎咨询。
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晶体管
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