TLE207x系列jfet输入运算放大器的带宽是TL07x和TL08x系列的两倍以上,摆率是TL08x系列的三倍。德州仪器Excalibur工艺产生11.6 nV/Hz的典型噪声底,确保最大17-nV/Hz,使用TL07x设计的噪声敏感电路立即得到改善。TLE207x还具有更宽的电源电压轨,将biet电路的动态信号范围增加到±19 V。片上齐纳校正偏置电压产生精度等级更高的精度在直流耦合应用。TLE207x引脚兼容较低性能的BiFET运算放大器,便于在现有设计中提高性能。
biet运算放大器具有jfet输入晶体管固有的更高输入阻抗,而不会牺牲与双极放大器相关的输出驱动。这使得它们更适合与高阻抗传感器或非常低电平的交流信号接口。它们还具有比功耗相当的双极或CMOS器件更好的交流响应特性。
TLE207x系列biet放大器是德州仪器最高性能的biet放大器,具有更紧凑的输入失调电压和最大的噪声规格。设计人员要求不那么严格的规格,但寻求改善TLE207x的交流特性,应考虑TLE208x运算放大器系列。
由于BiFET运算放大器设计用于双电源,因此在单电源工作时必须注意观察共模输入电压限制和输出摆幅。输入信号的直流偏置是必需的,负载应该被终止到中间电源的虚拟地节点。德州仪器TLE2426集成虚拟地发生器在操作单电源的BiFET放大器时非常有用。
TLE207x具有±15v和±5v的完全规格。对于低电压和/或单电源系统的操作,推荐使用德州仪器的LinCMOS系列运算放大器(TLC-和tlv前缀)。当从BiFET转换到CMOS放大器时,应特别注意转换速率和带宽要求以及输出负载。

赫兹
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 通道数 | 4 |
| 电源总电压(+ 5v = 5,±5v = 10)(最大)(V) | 38 |
| 电源总电压(+ 5v = 5,±5v = 10) (min) (V) | 4.5 |
| 轨到轨 | In to V+ |
| GBW(类型)(MHz) | 10 |
| 转换速率(类型)(V/µs) | 40 |
| Vos(25°C时的失调电压)(最大)(mV) | 5 |
| 每通道Iq(类型)(mA) | 1.625 |
| 1 kHz时的Vn(型)(nV√Hz) | 12 |
| 评级 | Catalog |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 85 |
| 偏置漂移(类型)(µV/°C) | 10.1 |
| 输入偏置电流(最大)(pA) | 175 |
| CMRR(类型)(dB) | 98 |
| 输出(类型)(A) | 0.03 |
| 体系结构 | FET |
| 输入共模净空(到负电源)(类型)(V) | 3.1 |
| 输入共模净空(对正电源)(类型)(V) | 0 |
| 输出摆幅净空(到负电源)(类型)(V) | 0.8 |
| 输出摆幅净空(对正电源)(型)(V) | -0.9 |