这是第一个将匹配良好的高压JFET与标准双极晶体管(BI-FET™技术)集成在同一芯片上的单片JFET输入运算放大器。。该器件还具有高摆压率、宽带宽、极快的沉降时间、低电压和电流噪声以及低1/f噪声角的特点。

- 优势
- 取代昂贵的混合和模块FET运算放大器
- 与MOSFET输入器件相比,坚固耐用的jfet允许无爆震处理
- Excellent for Low Noise Applications Using Either High or Low Source Impedance—Very Low 1/f Corner
- 失调调整不降低漂移或共模抑制在大多数单片放大器
- 新的输出级允许使用大容性负载(5000 pF),没有稳定性问题
- 内部补偿和大差分输入电压能力
共同的特征
- 低输入偏置电流:30pA
- 低输入偏置电流:3pA
- 高输入阻抗:1012Ω
- Low Input Noise Current: 0.01 pA / √赫兹
- 高共模抑制比:100db
- 大直流电压增益:106 dB
常见的特征
- 沉降速度极快
- Fast Slew Rate 12V/µs
- Wide Gain Bandwidth 5M赫兹
- Low Input Noise Voltage 12 nV / √赫兹
所有商标均为其各自所有者的财产。
LF156QML功能图

LF156QML规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|
| 通道数 | 1 |
| 电源总电压(+ 5v = 5,±5v = 10)(最大)(V) | 44 |
| 电源总电压(+ 5v = 5,±5v = 10) (min) (V) | 10 |
| 轨到轨 | No |
| GBW(类型)(MHz) | 5 |
| 转换速率(类型)(V/µs) | 12 |
| Vos(25°C时的失调电压)(最大)(mV) | 5 |
| 每通道Iq(类型)(mA) | 5 |
| 1 kHz时的Vn(型)(nV√Hz) | 12 |
| 评级 | Military |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 125 |
| 偏置漂移(类型)(µV/°C) | 5 |
| 输入偏置电流(最大)(pA) | 100 |
| CMRR(类型)(dB) | 100 |
| 输出(类型)(A) | 0.025 |
| 体系结构 | FET |
| 输入共模净空(到负电源)(类型)(V) | 3 |
| 输入共模净空(对正电源)(类型)(V) | 0.1 |
| 输出摆幅净空(到负电源)(类型)(V) | 2 |
| 输出摆幅净空(对正电源)(型)(V) | -2 |
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