TLC272和TLC277精密双运算放大器结合了宽范围的输入偏置电压等级,低偏置电压漂移,高输入阻抗,低噪声和接近通用BiFET器件的速度。
这些器件采用德州仪器的硅栅LinCMOS技术,其失调电压稳定性远远超过传统金属栅工艺的稳定性。
极高的输入阻抗,低偏置电流和高转换率使这些具有成本效益的器件成为以前为BiFET和net产品保留的应用的理想选择。四种失调电压等级可用(c后缀和i后缀类型),范围从低成本TLC272 (10 mV)到高精度TLC277 (500 uV)。。
一般来说,与双极技术相关的许多特性都可以在LinCMOS运算放大器上使用,而无需双极技术的功率损失。一般应用,如换能器接口,模拟计算,放大器模块,有源滤波器和信号缓冲很容易设计与TLC272和TLC277。。共模输入电压范围包括负轨。
多种封装选择可供选择,包括用于高密度系统应用的小轮廓和芯片载体版本。
该设备的输入和输出设计承受- 100毫安浪涌电流而不持续锁存。
TLC272和TLC277内置防静电保护电路,可防止在高达2000v的电压下发生功能故障,根据MIL-STD-883C,方法3015.2进行测试;。
C后缀器件的特点是工作在0°C到70°C。I-suffix器件的特点是操作从- 40°C到85°C。m后缀设备的特点是在- 55°C至125°C的全军用温度范围内操作。

f = 1khz时的Hz
TypLinCMOS是德州仪器的商标。

| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 通道数 | 2 |
| 电源总电压(+ 5v = 5,±5v = 10)(最大)(V) | 16 |
| 电源总电压(+ 5v = 5,±5v = 10) (min) (V) | 3 |
| 轨到轨 | In to V- |
| GBW(类型)(MHz) | 2 |
| 转换速率(类型)(V/µs) | 3.6 |
| Vos(25°C时的失调电压)(最大)(mV) | 5 |
| 每通道Iq(类型)(mA) | 0.7 |
| 1 kHz时的Vn(型)(nV√Hz) | 25 |
| 评级 | Catalog |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 85 |
| 偏置漂移(类型)(µV/°C) | 1.8 |
| 输入偏置电流(最大)(pA) | 60 |
| CMRR(类型)(dB) | 80 |
| 输出(类型)(A) | 0.01 |
| 体系结构 | CMOS |
| 输入共模净空(到负电源)(类型)(V) | -0.3 |
| 输入共模净空(对正电源)(类型)(V) | -0.8 |
| 输出摆幅净空(到负电源)(类型)(V) | 0.03 |
| 输出摆幅净空(对正电源)(型)(V) | -1.2 |
