FQP30N06L功率管引脚配置_规格参数_应用原理图
FQP30N06L是N-沟道增强型功率MOSFET，它是逻辑电平场效应晶体管，这意味着它可以通过使用微控制器的逻辑电平（3.3V或5V）完全打开。
FQP30N06L MOSFET由于其低导通电阻、卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下能够承受高能量脉冲的能力而非常受欢迎，其用途可以说是非常的广泛。
FQP30N06L MOSFET在25摄氏度室温下的额定电压、电流和功耗分别为60V、32A和79W。并且在10V的最大栅极阈值电压下具有0.035欧姆的低漏源电阻 (RDS(ON) ）。FQP30N06L可用于开关电源电路、音频放大器。以及使用Arduino或类似微控制器的直流电机控制。
此MOSFET通常也用于低压应用，例如汽车、DC/DC转换器，以及用于便携式和电池供电产品电源管理的高效开关。
引脚配置
FQP30N06L采用TO-220封装形式，与任何其它MOSFET一样，FQP30N06L具有三个引脚：从左到右分别为栅极、漏极和源极（扁平侧，引线指向下方），其引脚配置和符号图如下所示：
规格参数
| 参数 | 值 |
| 类型 | N沟道 |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源电压 | 60伏 |
| 栅源电压 | 20伏 |
| 栅极阈值电压 | 2.5伏 |
| 最大漏极电流 | 32安培 |
| 最大结温 | 175℃ |
| 最大RDS(ON) | 0.045欧姆 |
| 总栅极电荷 | 15纳米 |
| 最大功耗 | 79瓦 |
功能特性
- 32A, 60V, RDS(ON) =35mΩ (Max.) @ VGS=10V, ID=16A
- 低栅极电荷（典型值15nC）
- 低铬（典型值50pF）
- 100%雪崩测试
- 175°C最高结温额定值
详细绝对最大额定值如下表格所示：
等效型号
FQP30N06L器件有多种等效型号，下面给出的是替代/等效FQP30N06L MOSFET列表：
- FQP10N60
- FQP10N60C
- FQP10N60CF
- FQP11N40
- FQP11N40C
- FQP11N50CF
- FQP10N20
- FQP10N20C
如何在Arduino上使用FQP30N06L？
FQP30N06L是逻辑电平MOSFET，所以它可以通过使用微控制器的逻辑电平（3.3V或5V）完全打开。
FQP30N06L的数据表显示它在5V的VGS和16A的漏极电流下具有0.045 欧姆（最大）的RDS(ON)。这仅仅意味着如果5V施加在这个MOSFET的栅极，它可以切换高达16安培的负载，漏源电阻为0.035欧姆。
根据数据表中给出的VGS与ID图表显示，在3V的栅极到源极电压下，MOSFET很容易传导超过10A的电流，而在5V Vgs时，它可以传导超过30A的电流。因此 FQP30N06L可以直接连接到输出Arduino的引脚来控制外部负载。Arduino的数字引脚最大输出5V。
但请记住，30A的负载会导致MOSFET的高漏源电阻RDSon。并且RDS的值越大，（功率）损耗即I²R损耗越高。
应用电路
下图是使用FQP30N06L和Arduino控制直流电机速度的电路，在此示例中，使用带Arduino的FQP30N06L MOSFET控制直流电机速度。当然，可以使用任何其他负载（如灯或螺线管）代替电机。
电位器用于设置直流电机的速度，Arduino从电位器获取模拟输入并根据它设置负载两端的电压。
要将FQP30N06L与Arduino一起使用，请按照以下步骤操作：
- 使用上面电路图中所示的所需组件将Arduino与MOSFET连接起来；
- 负载可以是电机、灯、螺线管等；
- MOSFET的栅极在这里连接到Arduino UNO的数字PWM引脚 3，可以根据负载PWM频率或开关频率要求将其连接到任何其它PWM引脚；
- 将下面给出的代码上传到Arduino板。
现在，应该能够使用FQP30N06L MOSFET控制负载电流。
封装设计尺寸
主要应用
- 开关模式电源电路。
- 在音频放大器中。
- 用于使用Arduino或类似微控制器的直流电机控制。
- 直流/直流转换器。
总结
FQP30N06L N沟道增强型功率MOSFET使用Fairchild半导体的专有平面条纹和DMOS技术生产，这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻，并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。目前FQP30N06L器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
