STP75NF75场效应管规格参数_引脚图_中文资料
STP75NF75是一种N沟道场效应晶体管（MOSFET），由意大利半导体公司制造。它被设计用于高功率应用，特别是在开关模式电源和DC-DC转换器中。
STP75NF75器件采用额定电压75伏特（V）、最大漏极电流80安培（A）、典型导通电阻：0.009欧姆（Ω）、约定最大耗散功率125瓦特（W），可以适用于各种电力应用。
此外，STP75NF75还具有阻尼二极管，这有助于减少开关电源应用中的反向电压峰值，并提高效率。
规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| STMicroelectronics | |
| 产品种类: | MOSFET |
| 通孔 | |
| TO-220-3 | |
| N-Channel | |
| 1个 | |
| 75V | |
| 80A | |
| 11 mOhms | |
| – 20V, + 20V | |
| 2V | |
| 117nC | |
| –55°C | |
| +175°C | |
| 300W | |
| 增强型 | |
| 配置: | 单模式 |
| 下降时间: | 30ns |
| 高度: | 9.15mm |
| 长度: | 10.4mm |
| 上升时间: | 100ns |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| 典型关闭延迟时间: | 66ns |
| 典型接通延迟时间: | 25ns |
| 宽度: | 4.6mm |
| 单位重量: | 2g |
引脚配置
MOSFET是一种三极管，它由源、漏、栅极组成。在使用MOSFET时，应注意控制栅极电压，以确保器件能够正确地开启和关闭。此外，应注意器件的热管理，以避免过热损坏器件，其符号图如下所示：
安全操作区域
栅极电荷与栅极源极电压
感应负载切换和二极管恢复时间的测试电路
无阻尼感应负载测试电路
封装参数设计尺寸
主要应用
STP75NF75是一款功率场效应管，适用于各种电力应用，包括直流至直流（DC-DC）转换器、电源管理、马达控制、逆变器和无线充电等。以下是STP75NF75器件的一些主要应用，，具体如下：
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直流至直流（DC-DC）转换器：可以用于构建高效的DC-DC转换器，例如在笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理中。
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电源管理：低导通电阻和低开关损耗特性使其成为高效的电源管理器件，可以用于各种应用，如开关电源、逆变器、稳压器等。
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马达控制：可以用于构建高效的马达控制器，如直流马达控制器、步进马达控制器等。
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逆变器：可用于构建高效的逆变器，例如在太阳能光伏系统中，将太阳能电池板收集的直流电转换成交流电。
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无线充电：可用于构建高效的无线充电器，例如在手机、平板电脑和智能手表等设备中，将电能通过无线方式传输给设备。
需要注意的是，具体的应用场景还需要结合具体的电路设计和要求进行选择和评估。
总结
简单来说，STP75NF75是一种N沟道逻辑电平功率MOSFET，具有低阈值电压，可用于低压应用。它的导通电阻为75欧姆，最大漏极电流为75A。该组件通常用于DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。
