新闻详情
客服
CSD25501F3规格参数_产品功能_原装销售
280 2023-11-22 08:42:00 来源: 网络 作者: IC先生
此 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳位电阻器 (RC) 可根据占空比让栅极电压 (VGS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 而增加。
CSD25501F3的特性
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸
- 0.7mm × 0.6mm
- 薄型
- 最大高度为 0.22mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
CSD25501F3功能图
CSD25501F3规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | -20 |
| vg (V) | -20 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 76 |
| VGS=2.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 125 |
| VGS=1.8 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 260 |
| Id峰值(max) (A) | -13.6 |
| Id max cont (A) | -3.6 |
| QG(型)(nC) | 1.02 |
| QGD(型)(nC) | 0.09 |
| QGS(类型)(nC) | 0.45 |
| VGSTH类型(type) (V) | -0.75 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 3.6 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
807次 2024-01-24 16:19:41
2506次 2024-01-03 17:20:40
1640次 2024-01-02 17:04:26
1193次 2023-12-28 17:30:12
