这款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限 应用。


| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | -8 |
| vg (V) | -6 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 5.7 |
| VGS=2.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 9.1 |
| Id峰值(max) (A) | -108 |
| Id max cont (A) | -5 |
| QG(型)(nC) | 11.2 |
| QGD(型)(nC) | 1.8 |
| QGS(类型)(nC) | 2.1 |
| VGSTH类型(type) (V) | -0.7 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 5 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
