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CSD17581Q3A中文规格_功能特性_原装原厂
264 2023-11-22 17:41:50 来源: 网络 作者: IC先生
这款采用 3.3mm × 3.3mm SON 封装的 30V、3.2mΩ、 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
CSD17581Q3A的特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低 RDS(on)
- 低热阻抗
- 雪崩级
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
应用范围
- 用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
- 电机控制 应用
- 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了 优化
All trademarks are the property of their respective owners.
CSD17581Q3A功能图
CSD17581Q3A规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 30 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 4.7 |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 3.8 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 154 |
| QG(型)(nC) | 20 |
| QGD(型)(nC) | 4 |
| QGS(类型)(nC) | 6.9 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 1.3 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 101 |
| ID -套餐有限公司(A) | 60 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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