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CSD23285F5中文参数_功能特性_现货出售
366 2023-11-22 09:08:34 来源: 网络 作者: IC先生
该 29mΩ、-12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
CSD23285F5的特性
- 低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸
- 1.53mm x 0.77mm
- 0.50mm 焊盘间距
- 薄型封装
- 厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
- 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
CSD23285F5功能图
CSD23285F5规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | -12 |
| vg (V) | -6 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 35 |
| VGS=2.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 47 |
| VGS=1.8 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 80 |
| Id峰值(max) (A) | -31 |
| Id max cont (A) | -3.3 |
| QG(型)(nC) | 3.2 |
| QGD(型)(nC) | 0.48 |
| QGS(类型)(nC) | 0.66 |
| VGSTH类型(type) (V) | -0.65 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 3.3 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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文章标签:
芯片
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