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CSD19538Q3A规格参数_产品特性_原装供应
334 2023-11-22 17:21:19 来源: 网络 作者: IC先生
这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电 (PoE) 应用中的电路板 尺寸。
CSD19538Q3A的特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
CSD19538Q3A功能图
CSD19538Q3A规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 100 |
| 配置 | Single |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 61 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 36 |
| QG(型)(nC) | 4.3 |
| QGD(型)(nC) | 0.8 |
| QGS(类型)(nC) | 1.6 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 3.2 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 13.7 |
| ID -套餐有限公司(A) | 15 |
| 逻辑电平 | No |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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文章标签:
芯片
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