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CSD25480F3产品参数_产品特性_原装销售
347 2023-11-22 09:59:15 来源: 网络 作者: IC先生
该 -20V、110mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
CSD25480F3的特性
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸
- 0.73mm × 0.64mm
- 薄型封装
- 最大厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
CSD25480F3功能图
CSD25480F3规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | -20 |
| vg (V) | -12 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 159 |
| VGS=2.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 260 |
| VGS=1.8 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 840 |
| Id峰值(max) (A) | -10.4 |
| Id max cont (A) | -1.7 |
| QG(型)(nC) | 0.7 |
| QGD(型)(nC) | 0.1 |
| QGS(类型)(nC) | 0.26 |
| VGSTH类型(type) (V) | -0.95 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 1.7 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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文章标签:
芯片
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