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CSD19506KTT产品参数_产品特征_原厂出售
249 2023-11-22 09:20:59 来源: 网络 作者: IC先生
这款 80V、2.0mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
CSD19506KTT的特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- D2PAK 塑料封装
应用
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
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CSD19506KTT功能图
CSD19506KTT规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 80 |
| 配置 | Single |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 2.3 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 400 |
| QG(型)(nC) | 120 |
| QGD(型)(nC) | 20 |
| QGS(类型)(nC) | 37 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 2.5 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 291 |
| ID -套餐有限公司(A) | 200 |
| 逻辑电平 | No |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 175 |
| 评级 | Catalog |
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文章标签:
芯片
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