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CSD87502Q2产品参数_产品特征_原装供应
325 2023-11-22 15:55:47 来源: 网络 作者: IC先生
CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET，采用 2mm x 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置，适用于同步降压等电源 应用。此外，这些 NexFET功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型 应用。
CSD87502Q2的特性
- 低导通电阻
- 两个独立的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
- 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
- 针对 5V 栅极驱动器而优化
- 雪崩级
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 环保标准
应用范围
- 用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
- 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
- 电池保护
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CSD87502Q2功能图
CSD87502Q2规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 30 |
| 配置 | Dual |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 42 |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 32.4 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 23 |
| QG(型)(nC) | 2.2 |
| QGD(型)(nC) | 0.5 |
| QGS(类型)(nC) | 1 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 1.6 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 5 |
| ID -套餐有限公司(A) | 5 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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文章标签:
芯片
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