CSD95377Q4M NexFET™功率级的设计针对高功率、高密度同步降压转换器应用进行了高度优化。此产品集成了驱动器 IC 和功率 MOSFET,从而可以实现功率级开关功能。此驱动器 IC 具有内置可选二极管仿真功能,该功能支持非连续导通模式 (DCM) 运行,从而提高轻负载效率。该组合在小型 3.5mm x 4.5mm 外形尺寸封装中提供高电流、高效率和高速开关功能。此外,PCB 封装已经过优化,可帮助减少设计时间并简化总体系统设计。


| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 20 |
| 功率损耗(W) | 1.6 |
| 损耗电流(A) | 15 |
| 配置 | PowerStage |
| ID - TA=25°C (A)时的连续漏极电流 | 35 |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 150 |
| 特性 | Diode emulation mode with FCCM, Ultra-low inductance package |
| 评级 | Catalog |
