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CSD85302L规格参数_产品功能_现货专卖
232 2023-11-22 17:39:13 来源: 网络 作者: IC先生
这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。
CSD85302L的特性
- 共漏极配置
- 低导通电阻
- 1.35mm × 1.35mm 小外形封装
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 标准
- 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV
应用
- USB Type-C/PD
- 电池管理
- 电池保护
All trademarks are the property of their respective owners.
CSD85302L功能图
CSD85302L规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 20 |
| 配置 | Dual Common Drain |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 24 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 37 |
| QG(型)(nC) | 6 |
| QGD(型)(nC) | 1.4 |
| QGS(类型)(nC) | 1.2 |
| vg (V) | 10 |
| VGSTH类型(type) (V) | 0.9 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 7 |
| ID -套餐有限公司(A) | 7 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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