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CSD25404Q3产品规格_产品特征_原装销售
303 2023-11-22 10:08:53 来源: 网络 作者: IC先生
这款 -20V、5.5mΩ NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在最大限度地降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该器件采用 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装，可提供出色的封装散热性能。
CSD25404Q3的特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 低 RDS(on)
- 无卤素
- 符合 RoHS 标准
- 无铅引脚镀层
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
应用
- 直流-直流转换器
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
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CSD25404Q3功能图
CSD25404Q3规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | -20 |
| vg (V) | -12 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 6.5 |
| VGS=2.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 12.1 |
| VGS=1.8 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 150 |
| Id峰值(max) (A) | -240 |
| Id max cont (A) | -18 |
| QG(型)(nC) | 10.8 |
| QGD(型)(nC) | 2.2 |
| QGS(类型)(nC) | 2.8 |
| VGSTH类型(type) (V) | -0.9 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | -104 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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