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CSD19532KTT中文规格_产品特性_原装供应
497 2023-11-22 15:33:17 来源: 网络 作者: IC先生
这款 100V、4.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
引脚分配 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.6°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
CSD19532KTT的特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- D2PAK 塑料封装
应用
- 次级侧同步整流器
- 热插拔
- 电机控制
CSD19532KTT功能图
CSD19532KTT规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 100 |
| 配置 | Single |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 5.6 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 400 |
| QG(型)(nC) | 44 |
| QGD(型)(nC) | 5.6 |
| QGS(类型)(nC) | 17 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 2.6 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 136 |
| ID -套餐有限公司(A) | 200 |
| 逻辑电平 | No |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 175 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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