这款 100V 12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 100 |
| 配置 | Single |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 14.5 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 219 |
| QG(型)(nC) | 16 |
| QGD(型)(nC) | 2.9 |
| QGS(类型)(nC) | 5.5 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 3 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 53 |
| ID -套餐有限公司(A) | 50 |
| 逻辑电平 | No |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
