这款 8.8mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5 mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

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| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 12 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 10.2 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 44 |
| QG(型)(nC) | 8.6 |
| QGD(型)(nC) | 3 |
| QGS(类型)(nC) | 1.1 |
| vg (V) | 10 |
| VGSTH类型(type) (V) | 1 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 3.5 |
| ID -套餐有限公司(A) | 3.5 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
