CSD85301Q2 是一款 20V、23mΩ N 通道器件,它具有两个独立的 MOSFET,并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封装。 这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置,适用于同步降压等电源应用。 此外,该部件还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。 两个 FET 的漏源导通电阻均较低,可最大程度降低损耗并减少元件数,非常适合空间受限型应用。

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| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 20 |
| 配置 | Dual |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 27 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 26 |
| QG(型)(nC) | 4.2 |
| QGD(型)(nC) | 1 |
| QGS(类型)(nC) | 1.1 |
| vg (V) | 10 |
| VGSTH类型(type) (V) | 0.9 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 5 |
| ID -套餐有限公司(A) | 5 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
