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CSD13383F4产品规格_产品功能_现货出售
455 2023-11-23 12:04:33 来源: 网络 作者: IC先生
该 37mΩ、12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
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CSD13383F4的特性
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
- 1.0mm × 0.6mm
- 薄型封装
- 厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 2kV 人体放电模型 (HBM)
- 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
CSD13383F4功能图
CSD13383F4规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 12 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 44 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 27 |
| QG(型)(nC) | 2 |
| QGD(型)(nC) | 0.6 |
| QGS(类型)(nC) | 0.4 |
| vg (V) | 10 |
| VGSTH类型(type) (V) | 1 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 2.9 |
| ID -套餐有限公司(A) | 2.9 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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文章标签:
芯片
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