这款 –8V、16.2mΩ、P 通道器件经过设计,能够以具有出色散热特性的 1 × 1.5 mm 超薄小外形封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。


| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | -8 |
| vg (V) | -6 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 19.4 |
| VGS=2.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 26.5 |
| VGS=1.8 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 53 |
| Id峰值(max) (A) | -54 |
| Id max cont (A) | -3 |
| QG(型)(nC) | 4.9 |
| QGD(型)(nC) | 0.6 |
| QGS(类型)(nC) | 1.3 |
| VGSTH类型(type) (V) | -0.8 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 3 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
