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CSD83325L中文规格_产品特性_原装销售
186 2023-11-23 15:15:15 来源: 网络 作者: IC先生
此 12V、9.9mΩ、2.2mm × 1.15mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。
CSD83325L的特性
- 共漏极结构
- 低导通电阻
- 2.2mm × 1.15mm 小外形封装
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 栅极静电 (ESD) 保护
CSD83325L功能图
CSD83325L规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 12 |
| 配置 | Dual Common Drain |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 5.9 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 52 |
| QG(型)(nC) | 8.4 |
| QGD(型)(nC) | 1.9 |
| QGS(类型)(nC) | 2.2 |
| vg (V) | 10 |
| VGSTH类型(type) (V) | 0.95 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 8 |
| ID -套餐有限公司(A) | 8 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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