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CSD75208W1015规格参数_功能特性_原厂出售
387 2023-11-23 12:43:20 来源: 网络 作者: IC先生
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型低厚度封装结合在一起，使得此器件成为电池供电运行空间受限应用的 理想选择。
CSD75208W1015的特性
- 双路 P 通道 MOSFET
- 共源配置
- 1.5mm x 1mm 小尺寸封装
- 栅极 - 源电压钳位
- 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
CSD75208W1015功能图
CSD75208W1015规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | -20 |
| vg (V) | -6 |
| 配置 | Dual Common Source |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 108 |
| VGS=2.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 150 |
| VGS=1.8 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 285 |
| Id峰值(max) (A) | -22 |
| Id max cont (A) | -1.6 |
| QG(型)(nC) | 1.9 |
| QGD(型)(nC) | 0.23 |
| QGS(类型)(nC) | 0.48 |
| VGSTH类型(type) (V) | -0.8 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 1.6 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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