这款 30V,4.0mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。
顶部图标 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 50°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值

| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 30 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 6.4 |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 4.8 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 239 |
| QG(型)(nC) | 13 |
| QGD(型)(nC) | 2.8 |
| QGS(类型)(nC) | 5.1 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 1.4 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 83 |
| ID -套餐有限公司(A) | 35 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
