这款 27mΩ,20V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 器件在 105ºC 温度下运行RθJA 典型值 = 165°C/W,脉宽 ≤100μs,占空比 ≤1%

| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | -20 |
| vg (V) | -8 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 32.5 |
| VGS=2.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 45.5 |
| VGS=1.8 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 92 |
| Id峰值(max) (A) | -41 |
| Id max cont (A) | -3 |
| QG(型)(nC) | 3.3 |
| QGD(型)(nC) | 0.5 |
| QGS(类型)(nC) | 0.7 |
| VGSTH类型(type) (V) | -0.8 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 3 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
