LP5900是一款能够提供150毫安输出电流的LDO。LP5900器件专为满足RF和模拟电路的要求而设计,具有低噪声、高PSRR、低静态电流和低线路瞬态响应数字等特点。LP5900采用新的创新设计技术,在没有噪声旁路电容的情况下提供同类领先的器件噪声性能。
该器件设计用于0.47 μ f的输入和输出陶瓷电容器(不需要旁路电容器)。。
器件有DSBGA (YZR)封装和WSON封装;。对于今天可用的所有电压和封装选项,请参阅本数据表末尾的封装选项附录(POA)。对于任何其他固定输出电压从1.5 V到4.5 V的25mv步进和所有其他封装选项,请联系您当地的TI销售办事处。。


| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 输出选项 | Fixed Output |
| 输出(最大)(A) | 0.15 |
| Vin (max) (V) | 5.5 |
| Vin (min) (V) | 2.5 |
| Vout (max) (V) | 4.5 |
| Vout (min) (V) | 1.5 |
| 固定输出选项(V) | 1.5, 1.575, 1.8, 1.9, 2, 2.1, 2.2, 2.3, 2.5, 2.6, 2.65, 2.7, 2.75, 2.8, 2.85, 3, 3.3, 4.5 |
| 噪音(µVrms) | 6.5 |
| 智商(类型)(mA) | 0.025 |
| 热阻θJA(℃/W) | 80 |
| 评级 | Catalog |
| 负载电容(min)(µF) | 0.47 |
| 稳压输出(#) | 1 |
| 特性 | Enable |
| 精度(%) | 3 |
| 100 KHz (dB)时的PSRR | 40 |
| 压降电压(Vdo) (type) (mV) | 80 |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 125 |
