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TPIC6C596规格参数_功能特性_原装现货
415 2023-11-28 15:33:56 来源: 网络 作者: IC先生
TPIC6C596器件是一个单片，中压，低电流，8位移位寄存器，设计用于需要相对中等负载功率的系统，如led。该器件在输出端包含一个内置电压钳，用于感应瞬态保护。电源驱动器应用包括继电器、螺线管和其他低电流或中压负载。
该设备包含一个8位串行输入，并行输出移位寄存器，该寄存器为8位d型存储寄存器提供数据。数据分别通过移位寄存器时钟(SRCK)和寄存器时钟(RCK)上升沿上的移位寄存器和存储寄存器进行传输。当移位寄存器清除(CLR)高时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲区。当CLR为低时，清除设备中的所有寄存器。当输出使能(G)保持高位时，输出缓冲区中的所有数据保持低位，所有漏极输出关闭。当G保持低时，来自存储寄存器的数据对输出缓冲区是透明的。当输出缓冲器中的数据低时，DMOS晶体管输出关断。当数据量高时，DMOS晶体管输出具有吸收电流能力。
串行输出(SER OUT)在SRCK下降沿的设备上进行时钟输出，为级联应用提供额外的保持时间。这将为时钟信号可能偏斜、设备彼此不靠近或系统必须容忍电磁干扰的应用提供改进的性能。
输出是低侧开漏DMOS晶体管，输出额定电压为33 V，连续吸收电流能力为100 mA。每个输出在TC = 25°C时提供250 ma的最大电流限制。电流限制随着结温的增加而降低，以提供额外的器件保护。当使用人体模型和200 V机器模型进行测试时，该设备还提供高达2500 V的ESD保护。
TPIC6C596器件的特点是工作温度范围为- 40°C至125°C。
TPIC6C596的特性
- 低的RDS(上), 7 &3937; (Typical)
- 雪崩能量，30mj
- 8个功率DMOS晶体管输出
100毫安的连续电流 - 250ma限流能力
- ESD保护，2500v
- 输出箝位电压，33v
- 增强多级级联
- 所有寄存器清除单一输入
- 低功耗
TPIC6C596功能图
TPIC6C596规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 通道数 | 8 |
| 拓扑结构 | Current Sink, Open drain, Shift Register |
| 评级 | Automotive |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 125 |
| Vin (min) (V) | 4.5 |
| Vin (max) (V) | 5.5 |
| Vout (max) (V) | 33 |
| 特性 | Enable/Shutdown, Thermal shutdown |
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芯片
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