TPIC6B596是一个单片,高压,中电流功率8位移位寄存器,设计用于需要相对高负载功率的系统。该器件在输出端包含一个内置电压钳,用于感应瞬态保护。电源驱动器的应用包括继电器、螺线管和其他中电流或高压负载。
该设备包含一个8位串行输入,并行输出移位寄存器,该寄存器为8位d型存储寄存器提供数据。数据分别通过移位寄存器时钟(SRCK)和寄存器时钟(RCK)上升沿上的移位寄存器和存储寄存器进行传输。当移位寄存器清除(SRCLR)\高时,存储寄存器将数据传输到输出缓冲区。当SRCLR\为低时,清除设备中的所有寄存器。当输出使能(G)\保持高位时,输出缓冲区中的所有数据保持低位,所有漏极输出关闭。当G\保持低时,来自存储寄存器的数据对输出缓冲区是透明的。当输出缓冲器中的数据较低时,dmos晶体管输出关闭。当数据量高时,dmos晶体管输出具有吸收电流能力。串行输出(SER OUT)在SRCK下降沿的设备上进行时钟输出,为级联应用提供额外的保持时间。这将为时钟信号可能偏斜、设备彼此不靠近或系统必须容忍电磁干扰的应用提供改进的性能。
输出是低侧,开漏DMOS晶体管,输出额定值为50 V和150 ma连续下沉电流能力。在TC = 25°C时,每个输出提供500 ma的典型电流限制。电流限制随着结温的增加而降低,以提供额外的器件保护。
TPIC6B596的特点是工作温度范围为-40°C至125°C。



| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 通道数 | 8 |
| 拓扑结构 | Open drain |
| 评级 | Automotive |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 125 |
| Vin (min) (V) | 4.5 |
| Vin (max) (V) | 5.5 |
| Vout (max) (V) | 50 |
| 特性 | Enable/Shutdown, Thermal shutdown |
