新闻详情
客服
EMB1412规格参数_产品特性_原装现货
352 2023-11-29 15:11:32 来源: 网络 作者: IC先生
EMB1412 MOSFET栅极驱动器在8引脚暴露焊盘VSSOP封装中提供峰值栅极驱动电流，并改善了高频工作所需的功耗。复合输出驱动级包括MOS和双极晶体管并联工作，它们从电容负载中吸收超过7 a的峰值。结合MOS和双极器件的独特特性，减少了驱动电流随电压和温度的变化。提供欠压闭锁保护，以防止由于栅极导通电压不足而损坏MOSFET。EMB1412提供反相和非反相输入，以满足单一器件类型的反相和非反相栅极驱动的要求。
EMB1412的特性
- 复合CMOS和双极输出减少
输出电流变化 - 7 A吸收电流/3 A源电流
- 快速传播时间(典型25秒)
- 快速上升和下降时间(14 ns/12 ns上升
以2nf负荷坠落) - 反相和非反相输入提供
任一配置与单个设备 - 供电轨道欠压闭锁保护
- 分割专用输入地(IN_REF)
供应或单次供应操作 - 热增强型8针VSSOP封装
- 输出从V开始振荡CC到VEE它可以
相对于输入地为负
EMB1412功能图
EMB1412规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 特性 | MOSFET Gate Driver |
| 设备类型 | Cell monitor and balancer |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 125 |
| 评级 | Catalog |
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
842次 2024-01-24 16:19:41
2534次 2024-01-03 17:20:40
1673次 2024-01-02 17:04:26
1230次 2023-12-28 17:30:12
