现货REF3130AQDBZRQ1引脚图_规格参数_数据手册

390 2023-11-30 14:44:44 来源: IC先生作者: IC先生

REF3130AQDBZRQ1是一系列精密、低功率、低压降的串联电压基准，可在小型3引脚SOT-23封装中使用。该器件体积小、功耗低（典型值100μA），是便携式和电池供电应用理想选择。REF3130AQDBZRQ1不需要负载电容器，但在任何电容性负载下都是稳定的，并且可以吸收或提供高达10mA的输出电流。

在未加载的情况下，REF3130AQDBZRQ1可以在电源上工作，电源电压低于输出电压5mV。所有型号都适用于-40°C至+125°C的宽温度范围。

REF3130AQDBZRQ1

规格参数

产品属性	属性值
制造商:	德州仪器
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-23-3
输出电压:	3V
初始准确度:	0.2%
温度系数:	20 PPM/°C
串联VREF—输入电压—最大值:	5.5V
分流电流—最大值:	10mA
最小工作温度:	–40°C
最大工作温度:	+125°C
输入电压:	5.5V
最大输出电压:	3.006V
工作电源电流:	100uA
电源电流—最大值:	135uA
单位重量:	8 mg

功能特性

装置TA范围：-40°C至125°C
设备HBM ESD分类等级H1C
装置CDM ESD分类等级C4A
高精度：最大0.2%
卓越的特定漂移性能：–20 ppm/°C（最高）从–40°C到+125°C
高输出电流：±10 mA
低衰减：5 mV
低IQ：最大115µA
低噪声：17µVp-p/V
无需输出电容器
可用电压选项：1.2 V、2 V、2.5 V、3 V、3.3 V、4 V
微型封装：3针SOT-23

引脚配置

功能框图

REF3130AQDBZRQ1是一系列CMOS系列精密带隙电压基准。基本带隙拓扑结构如功能框图如下所示。晶体管Q1和Q2被偏置，使得Q1的电流密度大于Q2的电流密度

两个基极-发射极电压的差值Vbe1–Vbe2具有正的温度系数，并且被施加在电阻器R1两端。该电压被增加并加到Q2的基极-发射极电压上，Q2具有负温度系数。由此产生的输出电压实际上与温度无关。带隙电压的弯曲是由于Q2的基极-发射极电压的温度系数略有非线性。

功能框图

静态电流与温度

输出与电源

长期稳定性

基础数据采集系统

数据采集系统通常需要稳定的电压参考以保持准确性。REF3130AQDBZRQ1系列具有稳定性和适用于大多数微控制器和数据转换器的宽电压范围，其电路图如下所示：

基础数据采集系统

典型应用电路

下图显示了低功率参考和调节电路。该电路在单电源、低功率、16位Δ∑ADC（例如MSP430内部的ADC）的适当输入范围内衰减和电平移动双极输入电压™或其他类似的单电源ADC。精密参考电路用于对输入信号进行电平移位，提供ADC参考电压，并为低功率模拟电路创建调节良好的电源电压。低功率零漂移运算放大器电路用于衰减和电平移动输入信号。

典型应用电路