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SN54ABTH32316中文参数_产品特征_现货专卖
277 2023-12-02 13:20:30 来源: 网络 作者: IC先生
ABTH32316由三个16位注册输入/输出(I/O)端口组成。这些寄存器结合了d型锁存器和触发器，允许数据在透明、锁存器和时钟模式下流动。来自一个输入端口的数据可以交换到一个或多个其他端口。由于通用存储元件，实时和存储数据的多种组合可以在三个端口之间交换。。
每个方向的数据流由输出使能(OEA\， OEB\和OEC\)，选择控制(SELA, SELB和SELC)，锁存使能(LEA, LEB和LEC)和时钟(CLKA, CLKB和CLKC)输入控制。当LEA高时，A数据寄存器在透明模式下工作。当LEA为低时，如果CLKA保持在高或低逻辑电平，则数据被锁存。如果LEA和时钟使能A (CLKENA\)为低，则数据存储在CLKA的低到高转换上。输出数据选择由选择控制引脚完成。所有三个端口都启用了active-low输出，因此当output-enable输入为low时，输出为active;。。
当VCC在0 ~ 2.1 V之间时，设备在上电或下电过程中处于高阻抗状态。然而，为了确保2.1 V以上的高阻抗状态，OE\应通过上拉电阻连接到VCC;。。
提供有源总线保持电路以将未使用的或浮动的数据输入保持在有效的逻辑电平。。
SN54ABTH32316的特点是在-55°C至125°C的全军用温度范围内工作。SN74ABTH32316的特点是工作温度从-40°C到85°C。
SN54ABTH32316的特性
- 德州仪器的成员Widebus +TM家庭
- 最先进的史诗,2BTMBiCMOS设计显著降低功耗
- 宇部TM(通用总线交换机）结合d型锁存器和d型触发器在透明，锁存，时钟或时钟使能模式下操作
- 根据MIL-STD-883，方法3015,ESD保护超过2000v
- 锁存性能超过500 m一个 / JEDEC标准jed -17
- 典型的VOLP (Output Ground Bounce） < 0.8 V at VCC= 5v, t一个 = 25°C
- 上电和下电时的高阻抗状态
- 分布式VCC和GND引脚配置最小化高速开关噪声
- High-Drive Outputs (-32-m一个 I哦, 64-m一个 IOL）
- 数据输入上的总线保持消除了外部上拉/下拉电阻的需要
- Package Options Include 80-Pin Plastic Thin Quad Flat (PN） Package With 12 × 12-mm Body Using 0.5-mm Lead Pitch and 84-Pin Ceramic Quad Flat (HT） Package
Widebus +, 史诗,IIB, and 宇部 are trademarks of Texas Instruments Incorporated.
SN54ABTH32316功能图
SN54ABTH32316规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 电源电压(min) (V) | 4.5 |
| 电源电压(最大)(V) | 5.5 |
| 通道数 | 16 |
| IOL (max) (mA) | 64 |
| IOH (max) (mA) | -32 |
| 输入类型 | TTL-Compatible CMOS |
| 输出类型 | 3-State |
| 特性 | Bus-hold, Partial power down (Ioff), Power up 3-state, Very high speed (tpd 5-10ns) |
| 技术的家庭 | ABT |
| 评级 | Military |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 125 |
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