HC259和HCT299是8位移位/存储寄存器,具有三状态总线接口能力。寄存器有四个同步操作模式,由两个选择输入控制,如mode select (S0, S1)表所示。模式选择,串行数据(DS0, DS7)和并行数据(I/ 0 - I/O7)仅响应时钟(CP)脉冲的低到高转换。S0、S1和数据输入必须在时钟正跃迁之前的一个设置时间。
主复位(MR)\是一个异步活动低输入。当MR\输出低时,不管所有其他输入的状态如何,寄存器都被清除。通过将串行输出(Q0)绑定到前一个寄存器的串行数据(DS7)输入,并将串行输出(Q7)绑定到下一个寄存器的串行数据(DS0)输入,可以通过级联相同单元来扩展寄存器。再循环(n × 8)位是通过将最后一级的Q7连接到第一级的DS0来完成的。
三状态输入/输出I(/O)端口有三种工作模式:。
1. 。
2. 。
3.。值得注意的是,每个I/O终端是一个三态输出和一个CMOS缓冲输入。
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| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 配置 | Universal |
| 位(#) | 8 |
| 技术的家庭 | HCT |
| 电源电压(min) (V) | 4.5 |
| 电源电压(最大)(V) | 5.5 |
| 输入类型 | TTL-Compatible CMOS |
| 输出类型 | 3-State |
| 时钟频率(MHz) | 24 |
| IOL (max) (mA) | 4 |
| IOH (max) (mA) | -4 |
| 电源电流(最大)(µA) | 160 |
| 特性 | Balanced outputs, High speed (tpd 10-50ns), Positive input clamp diode |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 125 |
| 评级 | Military |
