红外MOSFET™功率MOSFET系列采用成熟的硅工艺,为设计人员提供广泛的器件组合,以支持各种应用,如直流电机,逆变器,smp,照明,负载开关以及电池供电应用这些器件有多种表面贴装和通孔封装,采用行业标准封装,便于设计优化的栅极驱动选项使设计人员能够灵活地选择超级,逻辑或正常水平的驱动器。

| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 1.48 |
| ID(@25°C) | 210 A |
| 越来越多的 | THT |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 370 W |
| 包 | TO-220 |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 160 nC |
| Qgd | 42 nC |
| RDS (on) (@10V) | 3.3 mΩ |
| RthJC | 0.4 K/W |
| Tj | 175 °C |
| VDS公司 | 75 V |
| vg (th) | 3 V 2 V 4 V |
| vg | 20 V |
