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2ED2104S06F产品参数_功能图_原装供应

162 2023-12-08 15:00:46 来源: 网络 作者: IC先生

650 v高速半桥栅驱动器,DSO-8封装中典型的029源电流和07年的吸收电流,用于驱动功率mosfet和igbt基于我们的soi技术,2 ed2104s06f对VS引脚的负瞬态电压具有优异的坚固性和抗扰性由于器件中没有寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁存器。


2ED2104S06F


2ED2104S06F的特性

  • 工作电压(VS节点)可达+ 650v
  • 负VS瞬态抗扰度100v
  • 集成超快速，低电阻自举二极管
  • 90ns传播延迟
  • 防交叉传导逻辑
  • 内部520ns死区时间
  • IN、/SD逻辑输入
  • 浮动通道设计用于引导操作
  • 两个通道的独立欠压锁定(UVLO)
  • 逻辑操作高达-11 V VS引脚
  • 负电压公差输入- 5v
  • 最大供电电压25v
  • 3.3 V, 5v和15v输入逻辑兼容

    • 2ED2104S06F


    2ED2104S06F优势

  • 集成自举二极管节省空间，减少BOM成本，更小的PCB成本更低，设计更简单
  • 降低电平漂移损失50%
  • 对VS引脚的负瞬态电压具有优异的坚固性和抗噪性

    • 2ED2104S06F规格参数

    产品属性属性值
    渠道2
    配置Half Bridge
    输入电源电压 10 V   20 V
    隔离型Functional levelshift
    输出电流(吸收)0.7 A
    输出电流(源)0.29 A
    关闭传播延迟90 ns
    打开传播延迟90 ns
    VBS UVLO(开)8.9 V
    VBS UVLO(关闭)8 V
    VCC UVLO(开)8.9 V
    VCC UVLO(关闭)8 V
    电压等级650 V
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    标题：2ED2104S06F产品参数_功能图_原装供应
    网址：https://m.mrchip.cn/newsDetail/22869
    文章标签: 芯片
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