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IMBG65R260M1H中文规格_功能特性_原厂出售
422 2023-12-08 14:42:36 来源: 网络 作者: IC先生
CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了器件性能、稳健性和易用性等独特优势。IMBG65R260M1H CoolSiC™ MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装，基于先进的英飞凌碳化硅沟槽技术，适于大功率应用。 该器件旨在提高系统性能，缩减尺寸，增强可靠性。
IMBG65R260M1H的特性
- 低 Qrr 和 Qoss
- 低开关损耗
- 换向稳健型快速体二极管
- 先进沟槽技术带来出色的栅极氧化物可靠性
- 采用 .XT 互连技术，实现卓越的热性能
- 雪崩能力更强
- SMD 封装，可直接集成至 PCB
- 用于优化开关性能的感测引脚
IMBG65R260M1H优势
- 高性能、高可靠性且易于使用
- 高系统效率和高功率密度
- 降低系统成本和复杂度
- 打造成本更低、结构更简单且尺寸更小的系统
- 采用连续硬换向拓扑
- 适于高温和恶劣的工作环境
- 实现双向拓扑
IMBG65R260M1H规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 6 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 65 W |
| 极性 | N |
| 资格 | Industrial |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 260 mΩ |
| VDS公司 | 650 V |
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芯片
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