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IMBF170R650M1中文参数_产品特点_现货专卖
159 2023-12-08 16:31:46 来源: 网络 作者: IC先生
CoolSiC™ 1700 V, 650 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。
IMBF170R650M1的特性
- 针对反激式拓扑结构进行了优化
- 开关损耗极低
- 兼容反激式控制器的12 V / 0 V栅源电压
- 完全可控的dV/dt，针对EMI进行优化
- SMD（表面贴装）封装具有增大的爬电距离和电气间隙（> 7 mm）
IMBF170R650M1优势
- 1700 V SiC MOSFET能实现简单高效的单端反激式拓扑结构，适用于辅助电源
- SMD（表面贴装）封装便于直接集成于PCB，能实现自然对流冷却，无需额外的散热器
- 由于产品封装的爬电距离和电气间隙增大，隔离工作量减少
- 降低系统复杂性
- 高功率密度
IMBF170R650M1规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 独联体 | 422 pF |
| 输出电容 | 12 pF |
| ID(@25°C) | 7.4 A |
| 越来越多的 | SMD |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| ptt (@ TA=25°C) | 88 W |
| 包 | TO-263-7 |
| 销数 | 7 Pins |
| 极性 | N |
| 路上 | 8 nC |
| Qgd | 3.3 nC |
| 资格 | Industrial |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 650 mΩ |
| RthJA | 62 K/W |
| RthJC | 1.1 K/W |
| Tj | 175 °C |
| VDS公司 | 1700 V |
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芯片
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