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AIMBG120R160M1规格参数_功能特性_原装原厂

183 2023-12-08 13:52:43 来源: 网络 作者: IC先生

凭借英飞凌的性能优化芯片技术(Gen1p), SiC Mosfet具有一流的开关性能,抗寄生导通的稳稳性,以及改进的RDSon和仅仅(j)高功率密度,卓越的效率,双向充电能力和显著降低的系统成本,使其成为车载充电器和DCDC应用的理想选择。


AIMBG120R160M1


AIMBG120R160M1的特性

  • 革命性的半导体材料——碳化硅
  • 极低的开关损耗
  • 无阈值状态特性
  • 0V关断栅极电压
  • 基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
  • 完全可控的dv/dt
  • 整流稳健体二极管，准备同步整流
  • 温度无关关断开关损耗
  • 用于优化开关性能的检测引脚
  • 适用于高压漏电要求
  • XT互连技术，具有一流的热性能

    • AIMBG120R160M1优势

  • 效率改善
  • 开启更高频率
  • 提高功率密度
  • 减少冷却努力
  • 降低系统复杂性和成本

    • AIMBG120R160M1规格参数

    产品属性属性值
    独联体350 pF
    输出电容20 pF
    ID(@25°C) 17 A
    工作温度 -55 °C   175 °C
    ptt (@ TA=25°C) 106 W
    包TO-263-7
    极性N
    路上14 nC
    资格Automotive
    RDS (on) (@ Tj = 25°C)160 mΩ
    RthJC 1.42 K/W
    VDS公司 1200 V
    vg,20
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    标题：AIMBG120R160M1规格参数_功能特性_原装原厂
    网址：https://m.mrchip.cn/newsDetail/22882
    文章标签: 芯片
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