IPTC007N06NM5是TOLT系列中的OptiMOS™ 5功率MOSFET的一部分:采用TO引脚的顶部冷却封装,具有卓越的热性能。这种创新的封装与OptiMOS™ 5技术的主要特点相结合,使60 V的同类产品达到最佳水平,并为高功率密度设计提供了大于300 A的高额定电流。
在顶部冷却设置中,漏极暴露在封装的表面,使95%的热量直接耗散到散热器上,与TOLL封装相比,实现了20%的RthJA 和50%的RthJC 。对于像TOLL或D2 PAK这样的底面冷却封装,热量通过PCB散布到散热器,造成高功率损失。
TOLT的OptiMOS™ 5功率MOSFET的目标是电动工具、轻型电动汽车和电池管理系统。

| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 电池电压 | 24-66 V |
| ID(@25°C) | 311 A |
| IDpuls | 1244 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 214 W |
| 包 | TOLT (HDSOP-16) |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 106 nC |
| RDS (on) (@10V) | 1.2 mΩ |
| VDS公司 | 60 V |
| vg (th) | 2.8 V 2.1 V 3.3 V |
