英飞凌技术为汽车和工业制造商提供广泛的N沟道和p沟道小信号mosfet产品组合,满足并超过了知名行业标准封装的最高质量要求这些组件具有无与伦比的可靠性和制造能力,非常适合各种应用,包括领导照明,ADAS,车身控制单元,smp和电机控制。

| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.19 |
| 独联体 | 376 pF |
| 输出电容 | 196 pF |
| ID(@25°C) | 2.1 A |
| IDpuls | -8.4 A |
| 模式 | Enhancement |
| 越来越多的 | SMD |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 0.5 W |
| 包 | TSOP-6 dual |
| 销数 | 6 Pins |
| 极性 | P |
| QG(类型@10V) | -5 nC |
| RDS (on) (@10V) | 80 mΩ |
| 仅仅 | 250 K/W |
| RthJA | 250 K/W |
| 特殊功能 | ESD protected |
| VDS公司 | -30 V |
| vg (th) | -2 V -1 V ; -1.5 V |
