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IPD80R2K8CE中文规格_产品特性_原装原厂
203 2023-12-08 12:31:44 来源: 网络 作者: IC先生
800V CoolMOS™CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。CE产品专注于消费者电子应用以及照明产业。新推出的 800V 精选系列产品是专门为 LED 应用而设计的。英飞凌用这一特定 CoolMOS™ 系列，将长期以来作为行业领先的超结 MOSFET 供应商经验与顶级的创新很好地结合了起来。
IPD80R2K8CE的特性
- 特定导通电阻低（R DS（on）* A）
- 输出电容为（E oss）@ 400V 时，能量储存非常低
- 低栅极电荷 (Q g)
- 经过现场验证的 CoolMOS™ 质量
- 自1998年以来，英飞凌就开始大规模开发CoolMOS™ 技术
IPD80R2K8CE优势
- 高效率，高功率密度
- 超高性价比
- 高可靠性
- 使用方便
IPD80R2K8CE规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.38 |
| ID(@25°C) | 1.9 A |
| ID | 1.9 A |
| IDpuls | 6 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 42 W |
| 包 | DPAK (TO-252) |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 12 nC |
| 路上 | 12 nC |
| RDS (on) (@10V) | 2800 mΩ |
| RDS(上) | 2800 mΩ |
| 仅仅 | 3 K/W |
| RthJA | 62 K/W |
| RthJC | 3 K/W |
| 特殊功能 | price/performance |
| VDS公司 | 800 V |
| vg (th) | 3 V 2.1 V 3.9 V |
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芯片
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