IPLK60R360PFD7规格参数_产品功能

IPLK60R360PFD7规格参数_产品功能_原装销售

147 2023-12-08 13:59:43 来源: 网络作者: IC先生

600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPLK60R360PFD7) 使 CoolMOS™ 7 的消费应用更加广泛。采用 ThinPAK 5x6封装的 IPLK60R360PFD7 具有 360mOhm R_DS(on) ，从而降低开关损耗。这种封装方式占用空间非常小，只有 5x6mm²，高度非常低，仅 1mm。再加上标杆低寄生参数，使得外形显著缩小，并有助于提高功率密度。CoolMOS™ PFD7 产品集成了快速体二极管，可确保器件的坚固性，有利于客户减少材料清单 (BOM)。

该产品系列旨在实现超高功率密度和最高效率。主要用于超高密度充电器、适配器以及低功耗电机驱动器。与 CoolMOS™ P7 和 CE MOSFET 技术相比，600V CoolMOS™ PFD7更轻，满载效率更高，功率密度提高了 1.8W/inch³。

IPLK60R360PFD7

IPLK60R360PFD7的特性

极低的 FOM R_DS(on) x E_oss
集成稳健的快速体二极管
高达 2kV ESD 保护
R_DS(on) 值范围广
卓越的换向坚固性
低 EMI

IPLK60R360PFD7优势

最小化开关损耗
与最新的 CoolMOS™ 充电器技术相比，功率密度提高
与 CoolMOS™ CE 技术相比，效率提高，热性能改善，适用于低功率驱动应用
降低 BOM 成本，易于生产
稳健性和可靠性
易于选择合适的部件进行设计微调

IPLK60R360PFD7规格参数

产品属性	属性值
ID(@25°C)	13 A
ID	13 A
IDpuls	24 A
越来越多的	SMT
工作温度	-55 °C 150 °C
Ptot	74 W
包	ThinPAK 5x6
极性	N
QG(类型@10V)	12.7 nC
路上	12.7 nC
RDS (on) (@10V)	360 mΩ
RDS(上)	360 mΩ
特殊功能	price/performance
VDS公司	600 V
vg (th)	4 V 3.5 V 4.5 V

标题：IPLK60R360PFD7规格参数_产品功能_原装销售
网址：https://m.mrchip.cn/newsDetail/22931

文章标签: 芯片