红外MOSFET系列功率MOSFET采用成熟的硅工艺,为设计人员提供广泛的器件组合,以支持各种应用,如直流电机,逆变器,smp,照明,负载开关以及电池供电应用这些器件有多种表面贴装和通孔封装,采用行业标准封装,便于设计。

| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.52 |
| ID(@25°C) | -23 A |
| 越来越多的 | THT |
| Ptot | 140 W |
| 包 | TO-220 |
| 极性 | P |
| QG(类型@10V) | 64.7 nC |
| Qgd | 34 nC |
| RDS (on) (@10V) | 117 mΩ |
| RthJC | 1.1 K/W |
| Tj | 175 °C |
| VDS公司 | -100 V |
| vg (th) | -3 V -2 V -4 V |
| vg | 20 V |
