600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G),确保高效率。

效率
600V P7 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G
使用方便
集成 ESD 二极管,从 180mN 起且高于 R DS(on)
集成栅极电阻器 R G
坚固体二极管
涵盖通孔和表面封装的丰富产品线
标准级和工业级部件可供选择
效率
优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss,实现更高效率
使用方便
避免 ESD 故障,在制造环境中确保易用性
集成R G降低 MOSFET 振荡敏感度
MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑
在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性
广泛适用于各种终端应用和输出功率
可选部件适用于消费和工业应用
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 3.02 |
| ID(@25°C) | 37 A |
| ID | 37 A |
| IDpuls | 110 A |
| 越来越多的 | THT |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 129 W |
| 包 | TO-247 4pin |
| 销数 | 4 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 51 nC |
| 路上 | 51 nC |
| RDS (on) (@10V) | 80 mΩ |
| RDS(上) | 80 mΩ |
| 特殊功能 | price/performance |
| VDS公司 | 600 V |
| vg (th) | 3.5 V 3 V 4 V |
