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IPB044N15N5中文参数_产品特性_原装销售
434 2023-12-08 14:07:21 来源: 网络 作者: IC先生
英飞凌推出的 OptiMOS™5 150 V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。新产品突破性地降低了 R DS(on)（与 SuperSO8 中的下一个理想替代品相比高达 25％）和 Q rr，而不影响 FOM gd 和 FOM OSS，从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。此外，超低反向恢复电荷（在 SuperSO8 中，Q rr = 26 nC）提高了换流坚固性。
IPB044N15N5的特性
- 降低 R DS(on) 而不影响 FOM gd 和 FOM oss
- 降低输出电荷
- 超低反向恢复电荷
- 提高换流坚固性
- 可以提高开关频率
IPB044N15N5优势
- 减少并联
- 使用出色的 SuperSO8 缩小尺寸
- 更高的功率密度设计
- 更坚固的产品
- 降低系统成本
- 改善电磁干扰行为
IPB044N15N5规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 电池电压 | 72-96 V |
| 预算价格€/ 1000 | 3.66 |
| 独联体 | 6000 pF |
| 输出电容 | 1500 pF |
| ID(@25°C) | 174 A |
| IDpuls | 696 A |
| 越来越多的 | SMD |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 300 W |
| 包 | D2PAK 7pin (TO-263 7pin) |
| 销数 | 7 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 80 nC |
| Qgd | 16 nC |
| RDS (on) (@10V) | 4.4 mΩ |
| 仅仅 | 0.3 K/W |
| RthJA | 62 K/W |
| RthJC | 0.5 K/W |
| VDS公司 | 150 V |
| vg (th) | 3.8 V 3 V 4.6 V |
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芯片
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