IPT60R028G7产品参数_功能图

IPT60R028G7产品参数_功能图_原厂出售

422 2023-12-08 14:45:01 来源: 网络作者: IC先生

CoolMOS™ C7 Gold 超结 MOSFET 系列（G7）首次将改进型 600V CoolMOS™ C7 Gold 技术优势、4 引脚开尔文源极能力以及 TO-Leadless(TOLL )封装改进热属性相结合，为高达3kW的功率因数校正（PFC）等大电流硬开关拓扑应用以及诸如高端LLC等谐振电路打造了一个可能的 SMD 解决方案。

IPT60R028G7

IPT60R028G7的特性

CoolMOS™ C7 Gold SJ MOSFET

出色的FOM R _DS（on） * E _oss 和R _DS（on） * Q _G.
出色的R _Ds(on) ，其所占空间最小

TO-Leadless封装

内置第4引脚开尔文源配置和低寄生源电(~1nH)
符合MSL1标准、完全无铅、具有易于肉眼检查带槽引线
提高热性能Rth

IPT60R028G7优势

得益于封装低寄生源电感和4pin开尔文源概念，C7 Gold技术得以改进，切换速度更快，从而实现了更高的效率
通过替换TO封装（高度限制）或由于热或R _DS（on）要求对SMD封装进行并联，在小封装中实现了低R_DS（on），从而提高了功率密度
通过转向表面贴装（SMD），加快装配时间，从而能降低生产成本

IPT60R028G7规格参数

产品属性	属性值
预算价格€/ 1000	8.98
ID(@25°C)	75 A
ID	75 A
IDpuls	245 A
越来越多的	SMT
工作温度	-55 °C 150 °C
Ptot	391 W
包	TOLL (HSOF-8)
销数	8 Pins
极性	N
QG(类型@10V)	123 nC
路上	123 nC
Qgd	44 nC
RDS (on) (@10V)	28 mΩ
RDS(上)	28 mΩ
仅仅	0.32 K/W
RthJA	62 K/W
RthJC	0.32 K/W
特殊功能	highest performance
VDS公司	600 V
vg (th)	3.5 V 3 V 4 V

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网址：https://m.mrchip.cn/newsDetail/22957

文章标签: 芯片