IPA60R060C7产品参数_产品特征

IPA60R060C7产品参数_产品特征_原装销售

167 2023-12-08 12:59:20 来源: 网络作者: IC先生

600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E _oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！

CoolMOS™ C7 提供的更高效率有益于效率和总体拥有成本（TCO）应用，如超数据中心和高效率电信整流器（>96%）。在 PFC 拓扑结构中，可获得 0.3% - 0.7% 的增益，在LLC拓扑结构中，可获得 0.1% 的增益。例如，如果是 2.5kW 的服务器 PSU，在 TO-247 4 针套件内采用 600V CoolMOS™ C7 超级结 MOSFET 可为 PSU 能量损耗减少大约 10% 的能源成本。

IPA60R060C7

IPA60R060C7的特性

开关损耗参数减少，如 Q G、C oss、E oss
最佳品质因数 Q G*R DS(on)
开关频率增加
世界上最佳的 R (on)*A
坚固体二极管

IPA60R060C7优势

可在不损失效率的情况下增加开关频率
为轻负载和满载效率测量显示关键参数
开关频率加倍会将磁性元件的尺寸减半
对于相同的 R DS(on)，包装更小
可用于硬开关和软开关拓扑结构中的更多位置

IPA60R060C7规格参数

产品属性	属性值
预算价格€/ 1000	3.77
ID(@25°C)	16 A
ID	16 A
IDpuls	135 A
越来越多的	THT
工作温度	-55 °C 150 °C
Ptot	34 W
包	TO-220 FullPAK
销数	3 Pins
极性	N
QG(类型@10V)	68 nC
路上	68 nC
RDS (on) (@10V)	60 mΩ
RDS(上)	60 mΩ
仅仅	3.69 K/W
RthJA	80 K/W
RthJC	3.69 K/W
特殊功能	highest performance
VDS公司	600 V
vg (th)	3.5 V 3 V 4 V

标题：IPA60R060C7产品参数_产品特征_原装销售
网址：https://m.mrchip.cn/newsDetail/22959

文章标签: 芯片