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IQE030N06NM5SC中文参数_产品特性_现货专卖
223 2023-12-08 14:54:03 来源: 网络 作者: IC先生
英飞凌推出了创新型 源极底置 技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM 5 60 V：IQE030N06NM5SC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片，该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位（而不是漏极电位）可以通过导热垫与 PCB 连接。因此，它具有几点优势，如热能力增强，先进的功率密度，或具有改善板上布局的可能性。
此外，更高的效率、更低的主动散热要求和有效的热管理布局都是系统级的优势。源极底置概念得益于其新基准 RDS（on） 和创新的布局能力，在热管理领域处于领先地位。
此外，与塑封封装相比，双面散热封装可承受三倍以上的耗散功率。源极底置系列主要针对 电驱动， 电信， SMPS 或 服务器等应用。 这项新技术目前有两种不同的封装版本：源极底置标准栅极和源极底置中心栅极（针对并联进行了优化）。
IQE030N06NM5SC的特性
- 与当前技术相比，RDS(on) 大幅降低，高达 30%
- 相较于现有 PQFN 封装技术，其 RthJC 得到了改进
- 标准栅极和中心栅极两种封装版本
- 全新优化布局
IQE030N06NM5SC优势
- 可实现最高功率密度和性能
- 出色的热性能
- 优化布局，有效利用 PCB 空间
- 采用中心栅极封装，优化多个 MOSFET并联的配置
- 改进 PCB 损耗
- 减少寄生参数
IQE030N06NM5SC规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID | 132 A |
| ID(@25°C) | 132 A |
| IDpuls | 528 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 100 W |
| 包 | PQFN 3.3x3.3 Source-Down |
| 极性 | N |
| 路上 | 39 nC |
| QG(类型@10V) | 39 nC |
| RDS(上) | 3 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 3 mΩ |
| VDS公司 | 60 V |
| vg (th) | 2.8 V 2.1 V 3.3 V |
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芯片
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